工厂交货时间

15 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

8A

2

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7351PBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.1 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.8mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

5.9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

6.7 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

输入电容

1.33nF

恢复时间

30 ns

场效应管特性

Logic Level Gate

漏源电阻

17.8mOhm

最大rds

17.8 mΩ

栅源电压

4 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free