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IRF7855PBF

型号:

IRF7855PBF

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

IRF7855PbF

描述:

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 12A Ta

  • 10V

  • 1

  • 2.5W Ta

  • 16 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2005

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    9.4MOhm

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    97mW

  • 接通延迟时间

    8.7 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.4m Ω @ 12A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.9V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1560pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    39nC @ 10V

  • 上升时间

    13ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    12 ns

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 阈值电压

    4.9V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 恢复时间

    50 ns

  • 高度

    1.4986mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    3.9878mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • IRF7855PBF

    IRF7855PBF

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    12 A

    12A (Ta)

    4.9 V

    20 V

    97 mW

    2.5W (Ta)

  • FDS5672

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    10 A

    10A (Ta)

    2.4 V

    20 V

    2.5 W

    2.5W (Ta)

  • FDS5670

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    12 mA

    12A (Tc)

    4 V

    20 V

    2.5 W

    2.5W (Ta)

  • SI7460DP-T1-E3

    Surface Mount

    PowerPAK? SO-8

    11 A

    11A (Ta)

    -

    20 V

    1.9 W

    1.9W (Ta)