SI6968BEDQ-T1-E3
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
质量
157.991892mg
晶体管元件材料
SILICON
2
860 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
22mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI6968
引脚数量
8
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1W
接通延迟时间
245 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 6.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 4.5V
上升时间
330ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
510 ns
连续放电电流(ID)
5.2A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
600 mV
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI6968BEDQ-T1-E3
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