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SI6562CDQ-T1-GE3
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
质量
157.991892mg
晶体管元件材料
SILICON
6.7A 6.1A
2
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
最大功率耗散
1.7W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI6562
引脚数量
8
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
30 ns
功率 - 最大
1.6W 1.7W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 5.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
850pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
25ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
6.1A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.7A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.2mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationNumber of Pins
-
SI6562CDQ-T1-GE3
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
6.1 A
6.7A, 6.1A
600 mV
12 V
1.7 W
8
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
5.2 A
-
600 mV
12 V
1 W
8
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
6.2 A
-
-
12 V
1.39 W
8
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
6.2 A
-
-
12 V
1.39 W
8
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
7.1 A
7.1A
800 mV
12 V
1.6 W
8
SI6562CDQ-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :