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SI6562CDQ-T1-GE3

型号:

SI6562CDQ-T1-GE3

封装:

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

数据表:

SI6562CDQ

描述:

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    157.991892mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 6.7A 6.1A

  • 2

  • 45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2016

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 最大功率耗散

    1.7W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    SI6562

  • 引脚数量

    8

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    30 ns

  • 功率 - 最大

    1.6W 1.7W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    22m Ω @ 5.7A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    850pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 10V

  • 上升时间

    25ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    6.1A

  • 阈值电压

    600mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    6.7A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    1.2mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    4.4mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Number of Pins
  • SI6562CDQ-T1-GE3

    SI6562CDQ-T1-GE3

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    6.1 A

    6.7A, 6.1A

    600 mV

    12 V

    1.7 W

    8

  • SI6968BEDQ-T1-E3

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    5.2 A

    -

    600 mV

    12 V

    1 W

    8

  • FDW2511NZ

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    6.2 A

    -

    -

    12 V

    1.39 W

    8

  • NTQD6968NR2G

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    6.2 A

    -

    -

    12 V

    1.39 W

    8

  • NTQD6968N

    Surface Mount

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

    7.1 A

    7.1A

    800 mV

    12 V

    1.6 W

    8

SI6562CDQ-T1-GE3 PDF数据手册