工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

质量

84.99187mg

晶体管元件材料

SILICON

4A Tc

2

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

3.1W

端子位置

DUAL

终端形式

C BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

SI5515

引脚数量

8

通道数量

2

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

632pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.3nC @ 5V

上升时间

32ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.036Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

800 mV

高度

1.1mm

长度

3.05mm

宽度

1.65mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant