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SI4894BDY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans Mosfet N-ch 30V 8.9A 8-PIN SOIC N T/r
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
8.9A Ta
4.5V 10V
1
1.4W Ta
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1580pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4894BDY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
12 A
8.9A (Ta)
3 V
20 V
1.4 W
1.4W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.5 A
7.3A (Ta)
3 V
20 V
1.4 W
1.4W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
10.8 A
10.8A (Ta)
3 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.5 A
-
2.5 V
20 V
1.6 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
11 A
7.6A, 11A
2.25 V
20 V
2 W
-
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