IRF7904PBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
7.6A 11A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
2W
额定电流
7.6A
基本部件号
IRF7904PBF
元素配置
Dual
功率耗散
2W
功率 - 最大
1.4W 2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.2m Ω @ 7.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
910pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
连续放电电流(ID)
11A
阈值电压
2.25V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
恢复时间
17 ns
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Exempt
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IRF7904PBF
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
11 A
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20 V
2 W
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-
1.8 V
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10 A
10A (Ta)
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-
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10.2 A
10.2A (Ta)
2.5 V
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11 A
11A (Ta)
1.8 V
20 V
-
2.5 W
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