IRF8707GTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
11A Ta
4.5V 10V
2.5W Ta
7.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
6.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.9m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
760pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.3nC @ 4.5V
上升时间
7.9ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4.4 ns
连续放电电流(ID)
11A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
1.8 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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