IRF7811AVTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
10.8A Ta
4.5V
1
2.5W Ta
43 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
电阻
14MOhm
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
10.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
8.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 15A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1801pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 5V
上升时间
21ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
10.8A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
3 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF7811AVTRPBF PDF数据手册
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