IRF7807ZTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
11A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.2MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
11A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
6.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.8m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
770pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
上升时间
6.2ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3.1 ns
连续放电电流(ID)
11A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
1.8 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
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IRF7807ZTRPBF PDF数据手册
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