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SI4204DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans Mosfet N-ch 20V 15.5A 8-PIN SOIC N T/r
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
2
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
3.25W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI4204
引脚数量
8
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
18 ns
功率 - 最大
3.25W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
24ns
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
19.8A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0046Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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1 V
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SI4204DY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :