![SIR808DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
20A Tc
4.5V 10V
1
29.8W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.9m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
815pF @ 12.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.8nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
雪崩能量等级(Eas)
22 mJ
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxRoHS Status
-
SIR808DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
20 A
20A (Tc)
1 V
20 V
29.8W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
17 A
17A (Tc)
1 V
20 V
2.5W (Ta), 5W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
2.35 V
20 V
2.5W (Ta)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
24 A
24A (Tc)
-
20 V
29.8W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
19.3 A
19.3A (Tc)
1 V
20 V
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
ROHS3 Compliant
SIR808DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- Rohs 声明 :