工厂交货时间

14 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

19.986414mg

晶体管元件材料

SILICON

2

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

125mOhm

端子表面处理

MATTE TIN

最大功率耗散

830mW

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

SI3900

引脚数量

6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

830mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 2.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

2A

阈值电压

600mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

600 mV

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.65mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free