你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

SI3585CDV-T1-GE3

型号:

SI3585CDV-T1-GE3

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

描述:

MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    19.986414mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.9A 2.1A

  • 2

  • 13 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    195mOhm

  • 最大功率耗散

    1.3W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    6

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.1W

  • 接通延迟时间

    3 ns

  • 功率 - 最大

    1.4W 1.3W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    58m Ω @ 2.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    150pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.8nC @ 10V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.1A

  • 阈值电压

    1.5V

  • JEDEC-95代码

    MO-193AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.9A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    1.1mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

相关型号

SI3585CDV-T1-GE3 PDF数据手册