SI3585CDV-T1-GE3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
3.9A 2.1A
2
13 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
195mOhm
最大功率耗散
1.3W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.1W
接通延迟时间
3 ns
功率 - 最大
1.4W 1.3W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
58m Ω @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.8nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
2.1A
阈值电压
1.5V
JEDEC-95代码
MO-193AA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.9A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI3585CDV-T1-GE3
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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2.7 A
2.7A, 2.2A
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960 mW
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