![NTGD3133PT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ncs5000snt1-7840.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
13.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
560mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.1W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
145m Ω @ 2.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.5nC @ 4.5V
上升时间
12.7ns
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
12.7 ns
连续放电电流(ID)
1.6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.145Ohm
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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NTGD3133PT1G
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NTGD3133PT1G PDF数据手册
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