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NTGD3148NT1G

型号:

NTGD3148NT1G

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表:

NTGD3148N

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 12.8 ns

  • 操作温度

    -50°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    NTGD3148N

  • 引脚数量

    6

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.1W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70m Ω @ 3.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    300pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    11.2ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    1.6 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.07Ohm

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Mounting Type
  • NTGD3148NT1G

    NTGD3148NT1G

    Surface Mount

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    20V

    3 A

    12 V

    900 mW

    1.1 W

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    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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    2.1 A

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    -2.5 A

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    -

    980 mW

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  • SI3585CDV-T1-GE3

    Surface Mount

    SOT-23-6

    -

    2.7 A

    12 V

    -

    1.25 W

    Surface Mount