你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

SI1902DL-T1-GE3

型号:

SI1902DL-T1-GE3

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

SI1902DL

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    7.512624mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 10 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    270mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 基本部件号

    SI1902

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    270mW

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    385m Ω @ 660mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.2nC @ 4.5V

  • 上升时间

    16ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    660mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.385Ohm

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

相关型号

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Radiation Hardening
  • SI1902DL-T1-GE3

    SI1902DL-T1-GE3

    Surface Mount

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    20V

    660 mA

    12 V

    270 mW

    270 mW

    No

  • SI1403BDL-T1-E3

    Surface Mount

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

    -

    950 mA

    12 V

    500 mW

    500 mW

    No

  • BSD235NH6327XTSA1

    Surface Mount

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    20V

    1.5 A

    12 V

    -

    568 mW

    No

SI1902DL-T1-GE3 PDF数据手册