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BSD235NH6327XTSA1

型号:

BSD235NH6327XTSA1

封装:

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

BSD235N

描述:

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 4.5 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED

  • 最大功率耗散

    500mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 基本部件号

    BSD235

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    500mW

  • 接通延迟时间

    3.8 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    350m Ω @ 950mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 1.6μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    63pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.32nC @ 4.5V

  • 上升时间

    3.6ns

  • 连续放电电流(ID)

    950mA

  • 阈值电压

    700mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大双电源电压

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.95A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.35Ohm

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 高度

    1mm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Radiation Hardening
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
  • BSD235NH6327XTSA1

    BSD235NH6327XTSA1

    Surface Mount

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

    950 mA

    12 V

    500 mW

    500 mW

    No

    1 (Unlimited)

  • SI1403BDL-T1-E3

    Surface Mount

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    1.5 A

    12 V

    -

    568 mW

    No

    1 (Unlimited)

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