![SI1900DL-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-8117.jpg)
SI1900DL-T1-E3
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 6-Pin SC-70 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
7.512624mg
晶体管元件材料
SILICON
590mA
2
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
480mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
270mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1900
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
270mW
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
480m Ω @ 590mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
630mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.59A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
3 V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationRoHS Status
-
SI1900DL-T1-E3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
630 mA
590mA
20 V
270 mW
270 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
SC-70, SOT-323
640 mA
600mA (Ta)
20 V
-
310 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
700 mA
700mA (Ta)
20 V
-
500 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
500 mA
-
8 V
300 mW
300 mW
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
SOT-563, SOT-666
480 mA
-
20 V
220 mW
220 mW
ROHS3 Compliant
SI1900DL-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :