![SI1469DH-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-8117.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
7.512624mg
晶体管元件材料
SILICON
2.7A Tc
2.5V 10V
1
1.5W Ta 2.78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
470pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
DS 击穿电压-最小值
20V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI1469DH-T1-GE3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
3.2 A
2.7A (Tc)
12 V
1.5 W
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
-
Surface Mount
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
-
950 mA
-
12 V
500 mW
-
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
660 mA
-
12 V
270 mW
-
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
2.7 A
2.7A (Tc)
8 V
-
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
20V
2.7 A
2.7A (Tc)
8 V
1.5 W
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
SI1469DH-T1-GE3 PDF数据手册
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- Rohs 声明 :