规格参数
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
100A Ta
6V 10V
1
3.2W Ta 96W Tc
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD19533
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.4m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2670pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
1.1mm
长度
4.9mm
宽度
6mm
器件厚度
1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
CSD19533Q5A
Surface Mount
8-PowerTDFN
100V
13 A
100A (Ta)
2.8 V
20 V
3.2 W
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
120 A
120A (Tc)
2 V
20 V
160 W
Surface Mount, Through Hole
TO-220-3
100V
70 A
70A (Ta)
4 V
20 V
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
-
82 A
82A (Tc)
-
20 V
136 W
Surface Mount
8-PowerTDFN
75V
14 A
14A (Ta), 75A (Tc)
-
20 V
3.6 W