规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
100A Ta
6V 10V
1
3.1W Ta 195W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD19532
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.9m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4810pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0057Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级（Eas）
274 mJ
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
器件厚度
950μm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
CSD19532Q5B
Surface Mount
8-PowerTDFN
100 A
100A (Ta)
2.6 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
90 A
90A (Tc)
2.7 V
20 V
114 W
114W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
3 V
20 V
300 W
300W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
73 A
73A (Tc)
2 V
20 V
190 W
190W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
2 V
20 V
300 W
300W (Tc)
CSD19532Q5B PDF数据手册
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :