![CSD18533Q5A](https://static.esinoelec.com/200dimg/texasinstruments-csd16325q5-3108.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
17A Ta 100A Tc
4.5V 10V
1
3.2W Ta 116W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
CSD18533
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.9m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2750pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
5.5ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
栅源电压
1.9 V
反馈上限-最大值 (Crss)
9 pF
高度
1.1mm
长度
4.9mm
宽度
6mm
器件厚度
1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsRoHS StatusMoisture Sensitivity Level (MSL)Gate to Source Voltage (Vgs)TechnologyVgs (Max)FET Type
-
CSD18533Q5A
8-PowerTDFN
8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
±20V
N-Channel
-
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
±20V
N-Channel
-
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
±20V
N-Channel
-
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
±20V
N-Channel
-
8-PowerTDFN
8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
MOSFET (Metal Oxide)
±20V
N-Channel