![IRFS7540PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-ldp0133ay-7072.jpg)
IRFS7540PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
110A Tc
6V 10V
1
160W Tc
58 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1m Ω @ 65A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4555pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
76ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
56 ns
连续放电电流(ID)
110A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
IRFS7540PBF
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
20 V
160 W
160W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
20 V
160 W
160W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
230 W
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
20 V
157 W
157W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
90 A
90A (Tc)
20 V
150 W
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRFS7540PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 零件状态更改 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :