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SQM110N05-06L_GE3
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
TO-263 (D2Pak)
质量
1.437803g
110A Tc
4.5V 10V
1
157W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
157W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4440pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
110A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
4.44nF
漏源电阻
6mOhm
最大rds
6 mΩ
栅源电压
2 V
高度
4.83mm
长度
10.41mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SQM110N05-06L_GE3
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
55V
110 A
110A (Tc)
2 V
6 mΩ
20 V
157 W
157W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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110 A
75A (Tc)
2 V
-
20 V
170 W
170W (Tc)
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60V
110 A
110A (Tc)
3.7 V
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20 V
160 W
160W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60V
120 A
120A (Tc)
2 V
-
20 V
-
375W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
110 A
110A (Tc)
-
-
20 V
160 W
160W (Tc)
SQM110N05-06L_GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN 部件号 :
- Rohs 声明 :