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CSD19531Q5A

型号:

CSD19531Q5A

封装:

8-PowerTDFN

描述:

100V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 100A Tc

  • 6V 10V

  • 1

  • 3.3W Ta 125W Tc

  • 18.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    CSD19531

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6.4m Ω @ 16A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3870pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    48nC @ 10V

  • 上升时间

    5.8ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    5.2 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 阈值电压

    2.7V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    337A

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    6mm

  • 器件厚度

    1mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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