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CSD19531Q5A
8-PowerTDFN
100V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
6V 10V
1
3.3W Ta 125W Tc
18.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD19531
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.4m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3870pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
5.8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.2 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
2.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
337A
长度
4.9mm
宽度
6mm
器件厚度
1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsRoHS StatusMoisture Sensitivity Level (MSL)Gate to Source Voltage (Vgs)ECCN CodeVgs (Max)FET Type
-
CSD19531Q5A
8-PowerTDFN
8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
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±20V
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8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
EAR99
±20V
N-Channel
-
8-PowerVDFN
8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
EAR99
±20V
N-Channel
-
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
EAR99
±20V
N-Channel
-
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
20 V
EAR99
±20V
N-Channel
CSD19531Q5A PDF数据手册
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