![STL110N10F7](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-stl110n10f7-9001.jpg)
STL110N10F7
8-PowerVDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
107A Tc
10V
1
136W Tc
52 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
6mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STL110
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5117pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
36ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
107A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75A
雪崩能量等级(Eas)
490 mJ
高度
950μm
长度
5.4mm
宽度
6.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STL110N10F7
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150 W
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STL110N10F7 PDF数据手册
- 数据表 :