工厂交货时间

16 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L8

引脚数

15

晶体管元件材料

SILICON

19A Ta 114A Tc

10V

1

3.3W Ta 100W Tc

27 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N9

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4m Ω @ 68A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

114A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

375A

漏极-源极导通最大电阻

0.0044Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

460A

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free