IRF7769L1TRPBF
DirectFET™ Isometric L8
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric L8
引脚数
15
晶体管元件材料
SILICON
20A Ta 124A Tc
10V
1
3.3W Ta 125W Tc
92 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
9
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
44 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5m Ω @ 74A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11560pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
300nC @ 10V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
41 ns
连续放电电流(ID)
124A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
375A
漏极-源极导通最大电阻
0.0035Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
500A
雪崩能量等级（Eas）
260 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF7769L1TRPBF
Surface Mount
DirectFET? Isometric L8
100V
124 A
20A (Ta), 124A (Tc)
20 V
3.3 W
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
120 A
120A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
110 A
110A (Tc)
20 V
-
250W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75V
100 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
80V
160 A
160A (Tc)
20 V
-
208W (Tc)
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