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IPB031NE7N3GATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
10V
1
214W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
214W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 155μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8130pF @ 37.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
117nC @ 10V
上升时间
85ns
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
75V
雪崩能量等级(Eas)
640 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IPB031NE7N3GATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75V
100 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
120 A
120A (Tc)
20 V
188 W
188W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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120 A
120A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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110 A
110A (Tc)
20 V
-
300W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
120 A
120A (Tc)
20 V
-
167W (Tc)
IPB031NE7N3GATMA1 PDF数据手册
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