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IPB031N08N5ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 80V TO263-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
6V 10V
1
167W Tc
37 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 108μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6240pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)Gate to Source Voltage (Vgs)Vgs (Max)FET TypeRoHS Status
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IPB031N08N5ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IPB031N08N5ATMA1 PDF数据手册
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- PCN封装 :
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