![CSD17313Q2](https://static.esinoelec.com/200dimg/texasinstruments-csd16301q2-2553.jpg)
CSD17313Q2
6-WDFN Exposed Pad
TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
5A Tc
3V 8V
1
2.3W Ta
4.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
CSD17313
引脚数量
8
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
2.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 4A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
340pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.7nC @ 4.5V
上升时间
3.9ns
Vgs(最大值)
+10V, -8V
下降时间(典型值)
1.3 ns
连续放电电流(ID)
5A
阈值电压
1.3V
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏极-源极导通最大电阻
0.042Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
高度
800μm
长度
2mm
宽度
2mm
器件厚度
750μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
CSD17313Q2
Surface Mount
6-WDFN Exposed Pad
5 A
5A (Tc)
1.3 V
10 V
2.3 W
2.3W (Ta)
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
6 A
6A (Tc)
-
20 V
2.3 W
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
-
Surface Mount
6-SMD, Flat Leads
4.5 A
4.5A (Ta)
-1.3 V
10 V
-
1.5W (Ta)
-
Surface Mount
6-SMD, Flat Leads
6 A
6A (Ta)
-
20 V
-
1.5W (Ta)
-
Surface Mount
3-SMD, Flat Lead
2 A
2A (Ta)
-1.3 V
10 V
-
900mW (Ta)
CSD17313Q2 PDF数据手册
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 数据表 :