![SI5468DC-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si5902bdct1e3-7535.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
质量
84.99187mg
晶体管元件材料
SILICON
6A Tc
4.5V 10V
1
2.3W Ta 5.7W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
28MOhm
端子表面处理
PURE MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.3W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 6.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1.1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI5468DC-T1-GE3
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
30V
6 A
6A (Tc)
20 V
2.3 W
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
4.9 A
4.9A (Ta)
20 V
1.3 W
1.3W (Ta)
-
Surface Mount
6-SMD, Flat Leads
30V
6 A
6A (Ta)
20 V
-
1.5W (Ta)
-
Surface Mount
6-SMD, Flat Leads
30V
5 A
5A (Ta)
20 V
-
-
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
6 A
6A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
SI5468DC-T1-GE3 PDF数据手册
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