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CSD18563Q5AT
8-PowerTDFN
TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5ATMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
100A Ta
4.5V 10V
1
3.2W Ta 116W Tc
11.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD18563
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
6.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.7 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96A
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
1.1mm
长度
4.9mm
宽度
6mm
器件厚度
1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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CSD18563Q5AT PDF数据手册
- 数据表 :