![NVMFS5C670NLT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nrvts560emfst1g-7282.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
工厂交货时间
38 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
17A Ta 71A Tc
4.5V 10V
1
3.6W Ta 61W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.1m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
60ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
71A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
440A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
166 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-Max
-
NVMFS5C670NLT1G
Surface Mount
8-PowerTDFN
60V
71 A
17A (Ta), 71A (Tc)
2 V
20 V
3.6W (Ta), 61W (Tc)
-
Surface Mount
6-UDFN Exposed Pad
-
5.3 A
5.3A (Ta)
-
20 V
660mW (Ta)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
93 A
20A (Ta), 93A (Tc)
-
20 V
3.7W (Ta), 79W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
60V
71 A
17A (Ta), 71A (Tc)
2 V
20 V
3.6W (Ta), 61W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
60V
71 A
17A (Ta), 71A (Tc)
2 V
-
3.6W (Ta), 61W (Tc)
NVMFS5C670NLT1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
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