![CSD25303W1015](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-tps7181827yzcr-8673.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
3A Tc
1.8V 4.5V
1
1.5W Ta
11.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
基本部件号
CSD25303
引脚数量
6
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
3.9 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
58m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.3nC @ 4.5V
上升时间
8.6ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
7.8 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.092Ohm
漏源击穿电压
-20V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
CSD25303W1015
Surface Mount
6-UFBGA, DSBGA
20V
3 A
3A (Tc)
8 V
1.5 W
1.5W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6
-
3.3 A
3.3A (Ta)
8 V
1.5 W
1W (Ta)
-
Surface Mount
6-VDFN Exposed Pad
20V
-3.7 A
3.7A
8 V
1.5 W
-
-
Surface Mount
6-WDFN Exposed Pad
20V
2.2 A
2.6A, 2.2A
8 V
1.5 W
-
-
Surface Mount
6-WDFN Exposed Pad
-
2.2 A
2.6A, 2.2A
8 V
1.5 W
-
CSD25303W1015 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN封装 :