规格参数
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
15A Ta 50A Tc
4.5V 10V
1
3.1W Ta 77W Tc
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
基本部件号
CSD18504
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.6m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1656pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
上升时间
6.8ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
2 ns
连续放电电流(ID)
15A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
275A
雪崩能量等级（Eas）
92 mJ
最大结点温度（Tj）
150°C
反馈上限-最大值 (Crss)
9.6 pF
高度
1.1mm
长度
4.9mm
宽度
6mm
器件厚度
1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
CSD18504Q5A
Surface Mount
8-PowerTDFN
15 A
15A (Ta), 50A (Tc)
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20 V
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3.1W (Ta), 77W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
65 A
13A (Ta), 65A (Tc)
2.2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
15.2 A
15.2A (Ta), 50A (Tc)
1.9 V
20 V
3.8 W
3.1W (Ta), 44W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
16 A
16A (Ta), 57A (Tc)
1.7 V
20 V
2.6 W
2.6W (Ta), 33W (Tc)