规格参数
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
76A Tc
1.8V 4.5V
1
2.8W Ta 69W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD25402
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.8W
箱体转运
SOURCE
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.9m Ω @ 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.15V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1790pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.7nC @ 4.5V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs（最大值）
±12V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
-76A
阈值电压
-900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
35A
漏源击穿电压
-20V
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
900μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
器件厚度
800μm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
CSD25402Q3A
Surface Mount
8-PowerVDFN
20V
-76 A
76A (Tc)
12 V
2.8 W
2.8W (Ta), 69W (Tc)
Surface Mount
8-PowerVDFN
20V
54 A
14A (Ta), 54A (Tc)
8 V
-
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
75 A
9.7A (Ta), 75A (Tc)
20 V
74.4 W
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
78 A
11.4A (Ta), 78A (Tc)
20 V
64 W
1.4W (Ta), 64W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
85 A
12A (Ta), 85A (Tc)
20 V
2.4 W
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
CSD25402Q3A PDF数据手册
- PCN封装 :