NTB75N03RT4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
9.7A Ta 75A Tc
4.5V 10V
1
1.25W Ta 74.4W Tc
18.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.75
电压 - 额定直流
25V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
75A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
74.4W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1333pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
75A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.7A
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
225A
雪崩能量等级（Eas）
71.7 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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NTB75N03RT4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
9.7A (Ta), 75A (Tc)
20 V
74.4 W
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
23 A
23A (Ta)
20 V
37.5 W
37.5W (Tj)
±20V
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
23 A
23A (Ta)
20 V
37.5 W
37.5W (Tj)
±20V
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
115 mA
115mA (Ta)
40 V
-
200mW (Ta)
±20V
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
90 A
90A (Ta)
20 V
85 W
85W (Tc)
±20V
NTB75N03RT4 PDF数据手册
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