FDB088N08
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
160W Tc
244 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
45 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.8m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6595pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
118nC @ 10V
上升时间
158ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
102 ns
连续放电电流(ID)
120A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
85A
漏极-源极导通最大电阻
0.0088Ohm
漏源击穿电压
75V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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FDB088N08
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
2 V
20 V
160 W
160W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
4 V
20 V
310 W
310W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
106 A
106A (Tc)
-
20 V
200 W
200W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
106 A
106A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
4 V
20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FDB088N08 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :