STB140NF75T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
310W Tc
130 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.5mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
75V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
120A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB140N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
310W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
218nC @ 10V
上升时间
140ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
90 ns
连续放电电流(ID)
120A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
双电源电压
75V
雪崩能量等级（Eas）
750 mJ
栅源电压
4 V
高度
4.6mm
长度
10.4mm
宽度
9.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STB140NF75T4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
4 V
20 V
310 W
310W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
-
20 V
200 W
200W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
-
20 V
230 W
230W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60 A
120A (Tc)
4 V
20 V
300 W
300W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
4 V
20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 200W (Tc)
STB140NF75T4 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :