STB150NF55T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
300W Tc
140 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
6mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
55V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
120A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB150N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
190nC @ 10V
上升时间
180ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
80 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
双电源电压
55V
雪崩能量等级（Eas）
850 mJ
栅源电压
4 V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STB150NF55T4
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60 A
120A (Tc)
4 V
20 V
300 W
300W (Tc)
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120 A
120A (Tc)
2 V
20 V
300 W
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150 A
150A (Tc)
-
20 V
230 W
230W (Tc)
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150 A
150A (Tc)
2 V
20 V
230 W
230W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
135 A
135A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
STB150NF55T4 PDF数据手册
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- 仿真模型 :