IRF2805SPBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
135A Tc
10V
1
200W Tc
68 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2002
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.7mOhm
电压 - 额定直流
55V
额定电流
135A
元素配置
Single
功率耗散
200W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 104A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
230nC @ 10V
上升时间
120ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
110 ns
连续放电电流(ID)
135A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
双电源电压
55V
栅源电压
4 V
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.652mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF2805SPBF PDF数据手册
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