STL70N10F3
8-PowerVDFN
MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
82A Tc
10V
1
136W Tc
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ III
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
基本部件号
STL70
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
136W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3210pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5.7 ns
连续放电电流(ID)
82A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64A
雪崩能量等级（Eas）
770 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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STL70N10F3
Surface Mount
8-PowerVDFN
82 A
82A (Tc)
20 V
136 W
136W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
90 A
90A (Tc)
20 V
114 W
114W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
14 A
80A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 83W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Ta)
20 V
-
110W (Tc)
±20V
Surface Mount
8-PowerTDFN
100 A
13.8A (Ta), 100A (Tc)
20 V
156 W
156W (Tc)
±20V
STL70N10F3 PDF数据手册
- 数据表 :