![BSC082N10LSGATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle8457dlexuma1-8095.jpg)
BSC082N10LSGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
触点镀层
Tin
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
1
156W Tc
4.5V 10V
13.8A Ta 100A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
156W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 110μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7400pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
104nC @ 10V
上升时间
24ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
377 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
BSC082N10LSGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
100 A
13.8A (Ta), 100A (Tc)
20 V
156 W
156W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
80 A
80A (Tc)
20 V
100 W
5W (Ta), 100W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
250 W
250W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
127 A
120A (Tc)
20 V
250 W
250W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
250 W
250W (Tc)
ROHS3 Compliant
BSC082N10LSGATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :