
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
5W Ta 100W Tc
46 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STL100
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.3m Ω @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5680pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
70A
漏极-源极导通最大电阻
0.0073Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
950μm
长度
5.4mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STL100N10F7
Surface Mount
8-PowerVDFN
100V
80 A
80A (Tc)
20 V
100 W
5W (Ta), 100W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
90 A
90A (Tc)
20 V
114 W
114W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
-
100 A
13A (Ta), 100A (Tc)
20 V
250 W
3.6W (Ta), 250W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
90 A
90A (Tc)
16 V
-
136W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100V
100 A
100A (Ta)
20 V
-
110W (Tc)
STL100N10F7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :