工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

13A Ta 100A Tc

10V

1

3.6W Ta 250W Tc

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

9MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

250W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4340pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.6 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

227 mJ

栅源电压

2 V

高度

838.2μm

长度

5.9944mm

宽度

5.0038mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free