规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
85A Tc
4.5V 10V
1
3.1W Ta 78.1W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
TrenchFET®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3535pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
85A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
SUP85N03-3M6P-GE3
Through Hole
TO-220-3
85 A
85A (Tc)
1 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
92 A
16A (Ta), 92A (Tc)
-
20 V
80 W
80W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
90 A
90A (Tc)
3 V
20 V
120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
150 A
78A (Tc)
1.8 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
105 A
105A (Tc)
2.25 V
20 V
110 W
110W (Tc)
SUP85N03-3M6P-GE3 PDF数据手册
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