工厂交货时间

14 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

90A Tc

4.5V 10V

1

3.1W Ta 120W Tc

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2001

零件状态

Not For New Designs

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

9Ohm

电压 - 额定直流

30V

额定电流

90A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

120W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2672pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 5V

上升时间

171ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.2 ns

连续放电电流(ID)

90A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

栅源电压

3 V

高度

8.763mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free