![FDP8874](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
16A Ta 114A Tc
4.5V 10V
1
110W Tc
44 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
额定电流
121A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.3m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3130pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
128ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
114A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80A
漏极-源极导通最大电阻
0.0066Ohm
漏源击穿电压
30V
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRadiation Hardening
-
FDP8874
Through Hole
TO-220-3
114 A
16A (Ta), 114A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
No
-
Through Hole
TO-220-3
92 A
16A (Ta), 92A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
No
-
Through Hole
TO-220-3
80 A
80A (Ta)
20 V
68 W
68W (Tc)
No
-
Through Hole
TO-220-3
87 A
87A (Tc)
20 V
79 mW
79W (Tc)
No
-
Through Hole
TO-220-3
105 A
105A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
No
FDP8874 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :